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日本羅姆量產(chǎn)5G基站用新一代氮化鎵功率半導體

日期:2022-02-11 閱讀:482
核心提示:據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)2月10日消息,羅姆將在2022年春季之前開始量產(chǎn)被視為新一代半導體的氮化鎵(GaN)半導體。這是能提高供電和控制效率
據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)2月10日消息,羅姆將在2022年春季之前開始量產(chǎn)被視為新一代半導體的氮化鎵(GaN)半導體。這是能提高供電和控制效率的“功率半導體”,據(jù)稱和此前的硅半導體相比,新產(chǎn)品能把電流切換時的損耗減少6成。
 
羅姆將在日本濱松市的工廠建設生產(chǎn)設備,首先面向5G基站等供貨。
 
除氮化鎵半導體以外,羅姆還在量產(chǎn)新一代碳化硅(SiC)功率半導體。碳化硅功率半導體更高耐壓,將面向純電動汽車的核心零部件銷售,實現(xiàn)兩種功率半導體的分棲共存。
 
羅姆力爭在2025財年(截至2026年3月)之前,使半導體元件業(yè)務的營業(yè)收入達到目前的1.5倍,增至2100億日元規(guī)模。
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