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我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

電子科技大學(xué)朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導(dǎo)體薄膜電子器件研究成果

寧波材料所與鄭州大學(xué)實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

北京大學(xué)團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

北大集成電路學(xué)院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

上海微系統(tǒng)所科研團隊在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進展

上應(yīng)大科研團隊在光探測材料與器件領(lǐng)域取得重要進展！

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

中國科大在鈣鈦礦軟X射線探測器件領(lǐng)域取得重要進展

中國科大在鈣鈦礦軟X射線探測器件領(lǐng)域取得重要進展

至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

Nature | 康奈爾大學(xué)：光電功能器件最新突破

中國科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進展

中國科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領(lǐng)域取得新突破

西電在邏輯運算器件領(lǐng)域取得重要突破

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在氮化物位錯演化機制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進展

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

晶合集成申請半導(dǎo)體專利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強型電力電子器件

山東大學(xué)郝曉濤團隊在有機半導(dǎo)體光伏器件物理研究中取得新進展

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院器件工藝團隊研發(fā)基于全無機鈣鈦礦的多功能集成光子器件

西電郝躍院士團隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展

北大團隊新型器件技術(shù)加速GaN進入工業(yè)與汽車應(yīng)用

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