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聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

量子半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)拓?fù)溱吥w效應(yīng)

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

北大團(tuán)隊(duì)研發(fā)超低動(dòng)態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

北京大學(xué)申請(qǐng)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)專利

中國科學(xué)院長春光機(jī)所黎大兵研究團(tuán)隊(duì)喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)

九峰山實(shí)驗(yàn)室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

嘉善復(fù)旦研究院與復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在低傳導(dǎo)損耗功率器件方面取得重大進(jìn)展

蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)：氧化鎵功率器件研究成果

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院楊迎國等在鈣鈦礦半導(dǎo)體光電器件研究方面取得進(jìn)展

中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

中國科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

簡述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場(chǎng)發(fā)展概況

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機(jī)光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

簡述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

東南大學(xué)兩項(xiàng)研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會(huì)IEDM

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

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