亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<del id="samko"><dfn id="samko"></dfn></del><blockquote id="samko"></blockquote>

<abbr id="samko"><option id="samko"></option></abbr>

<tfoot id="samko"></tfoot>

<fieldset id="samko"></fieldset>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

石墨烯/GaN異質(zhì)結(jié)中的雙極性光響應(yīng)及其在自由空間安全光通信中的應(yīng)用研究

研究稱芯片中的硅或可被新材料取代

溫州大學團隊在集成電路和傳感器頂級期刊發(fā)表研究成果

復(fù)旦大學微電子學院楊迎國等在鈣鈦礦半導(dǎo)體光電器件研究方面取得進展

廈門大學張洪良團隊在氧化鎵半導(dǎo)體帶隙工程和日盲紫外光電探測器研究取得進展

南京大學在GaN基Micro LED研究領(lǐng)域取得新進展

中山大學王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進展

北大許福軍、沈波團隊在氮化物半導(dǎo)體大失配外延研究上取得突破性進展

中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點激光器研究取得進展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點激光器研究方面取得重要進展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

廈門大學張洪良團隊在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進展

南京郵電大學氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

中國半導(dǎo)體十大研究進展候選推薦——溶液生長BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高靈敏X-射線探測

簡述基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測研究

基于金剛石的先進熱管理技術(shù)研究進展

復(fù)旦研究團隊實現(xiàn)單芯片紫光Micro-LED超過10Gbps通信速率

廈大與黑龍江大學研究人員合作在有機光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進展

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學特性研究方面取得重要進展

廈大研究團隊在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

國際首次！科研團隊在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測研究方面取得突破

復(fù)旦大學研究團隊實現(xiàn)自激活存算一體超快閃存

簡述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進展

突破！中國科大研究團隊創(chuàng)造性開發(fā)出半導(dǎo)體材料激光直寫方法

半導(dǎo)體所在激子-聲子的量子干涉研究中獲進展

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

簡述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機理研究進展

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團隊利用藍紫光LED泵浦實現(xiàn)雙波長放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

第3頁/共7頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部