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簡述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

GaN襯底研發(fā)獲新突破！

河工大張紫輝團(tuán)隊(duì)在GaN基Micro-LED方面獲得新進(jìn)展

淺述GaN功率器件的發(fā)展

北京交大科研團(tuán)隊(duì)提出GaN器件動態(tài)導(dǎo)通電阻的精確測試與優(yōu)化方法

簡述提高GaN效率的新?lián)诫s技術(shù)

簡述納微GaNSense技術(shù)及專利布局

簡述使用不同類型GaN FET 設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)功率密度

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號模型

大阪大學(xué)、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進(jìn)展

在納米圖案化藍(lán)寶石襯底（NPSS）上實(shí)現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

GaN基紫外半導(dǎo)體激光器

技術(shù)分享 | GaN器件驅(qū)動及簡化柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)的方法

GaN 封裝技術(shù)研究進(jìn)展

GaN單晶襯底減薄新技術(shù)

中科院半導(dǎo)體所趙德剛團(tuán)隊(duì)研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

北京大學(xué)沈波、許福軍團(tuán)隊(duì)在高Al組分AlGaN的高效p型摻雜研究中獲重要進(jìn)展

向單芯片的GaN器件進(jìn)軍

世界上最大的超6英寸GaN籽晶問世！

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

GaN 解決方案：小型封裝應(yīng)對大型雷達(dá)挑戰(zhàn)

33W GaN快充“殺”出江湖國內(nèi)氮化鎵IDM企業(yè)加速布局

GaN打破壁壘！RF功率放大器的帶寬越來越寬、功率越來越高

沖擊1億出貨量！小米、蘋果帶火的GaN快充芯片產(chǎn)業(yè)鏈，哪些公司在快速崛起

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