亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術(shù)，推動行業(yè)變革

國產(chǎn)自主研發(fā)28nm顯示芯片量產(chǎn)

香港理大成功研發(fā)16位量子比特半導體微型處理器

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

廈門大學研究團隊在金剛石熱輸運研究取得重要進展

《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

國內(nèi)高校實現(xiàn)Micro LED技術(shù)突破，涉及深紫外、光通訊

我國科學家實現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

北大電子學院張志勇課題組提出集成電路用碳納米管材料要求

上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

西電在邏輯運算器件領(lǐng)域取得重要突破

光谷光通信傳輸最新成果，又破世界紀錄！

極紫外光刻新技術(shù)問世能大幅提高能源效率并降低半導體制造成本

基本半導體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

深圳這家半導體工廠宣布停工停產(chǎn)放假3個月

中國科學院化學研究所張德清課題組在聚合物半導體圖案化加工方面取得新進展

半導體所等在砷化鎵（GaAs）中產(chǎn)生自旋極化研究方面取得進展

中國科學院半導體所在氮化物位錯演化機制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進展

北美科學家研發(fā)出一種新型超薄晶體薄膜半導體

我國攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

中國科學院鄭婉華院士團隊半導體所有源光束掃描激光器研發(fā)取得進展

中國科學院半導體所在可調(diào)諧MEMS-VCSEL研究方面取得進展

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

江蘇通用半導體成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片

西安電子科技大學攻克 1200V 以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

復旦大學研發(fā)半導體性光刻膠，實現(xiàn)特大規(guī)模集成度有機芯片制造

北大王瑋教授團隊在芯片熱管理領(lǐng)域取得進展

積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)團隊：積沙成塔，用“芯”取得新突破

第4頁/共33頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部