亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<li id="weyc0"><input id="weyc0"></input></li>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

東南大學(xué)團(tuán)隊(duì)在日盲光電探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

日本國(guó)立材料研究所廖梅勇團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)金剛石DUV探測(cè)器低電壓高增益新突破！

最高記錄！柔性熱電器件，Science！

水凝膠半導(dǎo)體材料問世可作為理想生物電子界面

金剛石膜取得大突破！

前沿科技 | 無(wú)需半導(dǎo)體材料的電子器件問世

韓開發(fā)出新高遷移率p型半導(dǎo)體材料

純度超99.99995%！我國(guó)開發(fā)出超高純石墨產(chǎn)品

我國(guó)科學(xué)家開發(fā)出面向新型芯片的絕緣材料

西安交大科研人員在低維鈣鈦礦器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

華科大，再上分！

化學(xué)所在制備強(qiáng)熒光二維共軛聚合物半導(dǎo)體材料方面獲進(jìn)展

化學(xué)所在多功能集成聚合物半導(dǎo)體的分子設(shè)計(jì)方面取得進(jìn)展

國(guó)際上首次！基于晶圓級(jí)高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)已報(bào)道的最高截止頻率氧化鎵射頻器件

代爾夫特理工大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)無(wú)定形碳化硅，可用于微芯片領(lǐng)域

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進(jìn)展

上海硅酸鹽所在碳化硅陶瓷增材制造研究方面取得新進(jìn)展

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面取得重大突破

王新強(qiáng)、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導(dǎo)體單晶材料外延范式

山東大學(xué)陶緒堂教授團(tuán)隊(duì)研發(fā)超高光產(chǎn)額、超快衰減、低成本大尺寸單晶閃爍體

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

我國(guó)成功研制新型光學(xué)晶體可滿足半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)等領(lǐng)域重大需求

上海微系統(tǒng)所成功實(shí)現(xiàn)六方氮化硼納米帶的帶隙調(diào)控

中國(guó)科大在二維鐵電Rashba半導(dǎo)體材料中取得新進(jìn)展

中國(guó)科大在二維鐵電Rashba半導(dǎo)體材料中取得新進(jìn)展

京都大學(xué)研究組開發(fā)出新型功率半導(dǎo)體材料“金紅石型GeO2基半導(dǎo)體”

銀河證券：看好半導(dǎo)體設(shè)備材料

河南省加快材料產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)再造換道領(lǐng)跑行動(dòng)計(jì)劃（2022—2025年）發(fā)布將培育半導(dǎo)體材料等40條先進(jìn)材料重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈

寧波材料所在低成本鈣鈦礦太陽(yáng)能電池空穴傳輸材料方面取得研究進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院物理研究所張廣宇課題組實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層外延生長(zhǎng)

第1頁(yè)/共5頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<button id="kcskg"><del id="kcskg"></del></button>