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七大OLED廠商Q3排行出爐！2025年中小尺寸OLED出貨量首次達(dá)到10億臺(tái)

2025年中小尺寸OLED出貨量首次達(dá)到10億臺(tái)

江蘇集芯申請(qǐng)大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長速率相一致

國內(nèi)首臺(tái)超大尺寸鈣鈦礦高速激光刻蝕成套設(shè)備發(fā)布

星曜半導(dǎo)體：推出世界最小尺寸雙工器芯片

CASICON晶體大會(huì)前瞻|北京中電科電子裝備劉國敬：先進(jìn)Grinding設(shè)備及工藝助力大尺寸SiC量產(chǎn)

南京大學(xué)成功研發(fā)出大尺寸碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)

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宏微科技取得電動(dòng)汽車用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)專利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小

云和縣大尺寸碳化硅單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目意向合作協(xié)議簽約儀式舉行

百識(shí)電子完成A+輪融資，加速耐高壓、大尺寸第三代半導(dǎo)體外延布局

北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

北京大學(xué)教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長研究

IFWS 2023│南砂晶圓/山東大學(xué)楊祥龍：大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展

湖南大學(xué)物電院劉淵教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究中取得新進(jìn)展

SSLCHINA2023│北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲：MicroLED的尺寸效應(yīng)與高色彩轉(zhuǎn)換效率

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術(shù)

CASA正式發(fā)布《8英寸碳化硅襯底片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

盛鑫半導(dǎo)體：大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)首批設(shè)備入場(chǎng)

【CASICON 2023】特思迪半導(dǎo)體孫占帥：先進(jìn)拋光技術(shù)助力量產(chǎn)型大尺寸碳化硅制造

中科潞安閆建昌：高性能、大尺寸是深紫外LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

標(biāo)準(zhǔn)/山東大學(xué)牽頭起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)征求意見

山東大學(xué)教授陳秀芳：大尺寸4H-SiC單晶擴(kuò)徑及襯底制備

OPT（奧普特）2D尺寸測(cè)量傳感系統(tǒng)上市

華清電子材料實(shí)現(xiàn)了超大尺寸高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷加熱底盤的突破

CASA立項(xiàng)《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

浙江麗水中欣晶圓項(xiàng)目獲11億元融資，推動(dòng)大尺寸半導(dǎo)體硅片國產(chǎn)化

揚(yáng)杰科技收購楚微半導(dǎo)體40%股權(quán)，目的在于完善大尺寸新品產(chǎn)能

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