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廈門大學(xué)團(tuán)隊演示可同步輻射正交線偏振綠光的半極性InGaN基MCLED

北京大學(xué)申請高動態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動態(tài)穩(wěn)定性

華南師范大學(xué)王幸福：GaN微納結(jié)構(gòu)及其光電子器件研究

三安宣布進(jìn)軍美洲市場，為市場提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

瑞薩收購Transphorm，利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

香港中文大學(xué)（深圳）冀東：GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性

英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級GaN，持續(xù)推進(jìn)汽車激光雷達(dá)市場

簡述氮化鎵(GaN)的應(yīng)用市場

ULVAC牛山史三：GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

南京大學(xué)莊喆：基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直GaN功率器件

西安電子科技大學(xué)游淑珍：面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強(qiáng) GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實際器件應(yīng)用

多倫多大學(xué)吳偉東：用于電動汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

北京大學(xué)申請GaN與碳納米管CMOS電路專利

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

IFWS 2023│臺灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│日本國立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器

IFWS 2023│南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

IFWS 2023│中國科學(xué)院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

CASAS正式成立SiC/GaN功率器件與模塊工作組

IFWS 2023│ 中國電子科技集團(tuán)第四十六研究所孫杰：高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能

IFWS 2023│南京大學(xué)蔡青：AlGaN日盲紫外雪崩光電探測器的優(yōu)化設(shè)計及擊穿機(jī)理研究

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長高效率InGaN紅光

SSLCHINA2023│廈門大學(xué)吳挺竹：基于GAN的元技術(shù)和EV的技術(shù)的最新進(jìn)展

IFWS&SSLCHINA 2023重磅關(guān)注│三安將亮相并全面分享碳化硅、GaN激光器、MiniMicro-LED、UV LED等重要進(jìn)展

華泰證券：SiC商業(yè)化進(jìn)程領(lǐng)先GaN三年預(yù)計2026年投資擴(kuò)產(chǎn)或轉(zhuǎn)向GaN

英飛凌以8.3億美元完成對氮化鎵系統(tǒng)公司 GaN Systems 的收購

晶能光電：硅襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

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