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北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

大連理工大學(xué)“氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應(yīng)用”專利公布

清華大學(xué)申請(qǐng)半導(dǎo)體裝置的制備方法、半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備專利

北京大學(xué)申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

華為公司申請(qǐng)半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗

哈工大鄭州研究院在CVD法制備純凈分散納米金剛石技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

豐田合成、大阪大學(xué)等成功制備6吋GaN襯底

化學(xué)所在制備強(qiáng)熒光二維共軛聚合物半導(dǎo)體材料方面獲進(jìn)展

北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，改善電阻Rc并提高良率

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

武漢新芯“半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利公布

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

北京大學(xué)申請(qǐng)?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

長(zhǎng)電科技申請(qǐng)光電芯片互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

電子科技大學(xué)氮化物寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)配件與制備耗材采購(gòu)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商采購(gòu)公告

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)、制備方法及半導(dǎo)體器件專利

IFWS 2023│ 中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六研究所孫杰：高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能

SSLCHINA2023│河北工業(yè)大學(xué)徐庶：量子點(diǎn)氧化物復(fù)合材料的制備及LED應(yīng)用

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測(cè)器的低溫制備技術(shù)

寧波材料所在鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)電池的中間層設(shè)計(jì)和制備方面取得重要進(jìn)展

河北工業(yè)大學(xué)張勇輝：化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計(jì)、數(shù)理模型與制備

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

CASICON西安站前瞻|中國(guó)科學(xué)院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

重大進(jìn)展！中國(guó)團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)

重要成果！中國(guó)團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)！

“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專利發(fā)布

【CASICON 2023】河北工業(yè)大學(xué)張紫輝教授：GaN功率電子器件的物理建模與制備研究

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