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揚杰科技申請一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

芯導(dǎo)科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

士蘭微“MEMS微鏡及其制備方法”專利獲授權(quán)

揚杰科技申請一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）申請 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，實現(xiàn)高密度封裝

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

中圖科技申請一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底及其制備方法專利

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

豪緯集團申請一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

芯聯(lián)集成“半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件”專利獲授權(quán)

揚杰科技申請降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

中芯集成-U 申請 MEMS 器件及其制備方法專利，避免大量自由電荷堆積在振膜中

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

天岳先進擬定增募資不超3億元，用于8英寸車規(guī)級碳化硅襯底制備技術(shù)提升項目

清純半導(dǎo)體“半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”專利公布

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

北京大學(xué)申請金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

CASICON晶體大會前瞻|北京化工大學(xué)張紀(jì)才:（11-22）AlN材料的HVPE生長及其二極管制備研究

新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

CASICON晶體大會前瞻 |北京大學(xué)教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

CASICON晶體大會前瞻 |西安交通大學(xué)李強：六方氮化硼薄膜制備及器件應(yīng)用

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)巫江：基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計與制備

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備！

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