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浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

杭州鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

標(biāo)準(zhǔn) | 碳化硅單晶生長用等靜壓石墨等2項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見

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厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進(jìn)展

CASA立項《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》標(biāo)準(zhǔn)

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破

北京大學(xué)教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長研究

IFWS 2023│晶格領(lǐng)域張澤盛：液相法碳化硅單晶生長技術(shù)研究

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購廢標(biāo)公告

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4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長獲得成功

最新透露 | 天岳先進(jìn)：公司具備設(shè)計不同尺寸碳化硅單晶生長爐能力

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晶體材料實驗室陶緒堂教授團(tuán)隊在鹵化物鈣鈦礦單晶生長及應(yīng)用方面取得系列新成果

奧趨光電：氮化鋁單晶生長技術(shù)進(jìn)展及其未來挑戰(zhàn)

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