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北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

韓國(guó)2025年將豪擲25.5萬(wàn)億韓元投資半導(dǎo)體、顯示器等先進(jìn)產(chǎn)業(yè)

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專(zhuān)利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達(dá)產(chǎn)

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開(kāi)關(guān)器件專(zhuān)利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專(zhuān)利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專(zhuān)利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，有效降低器件VFSD

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專(zhuān)利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式進(jìn)場(chǎng)

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

CSA半導(dǎo)體激光器專(zhuān)業(yè)委員會(huì)正式成立，并成功召開(kāi)第一屆一次會(huì)議

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

日本國(guó)立材料研究所廖梅勇團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)金剛石DUV探測(cè)器低電壓高增益新突破！

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測(cè)智能柵極驅(qū)動(dòng)器

上應(yīng)大科研團(tuán)隊(duì)在光探測(cè)材料與器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展！

最高記錄！柔性熱電器件，Science！

光谷筑芯微電子精密器件智造基地(首開(kāi)區(qū)) 項(xiàng)目喜封金頂！

“2024年度（第十七屆）華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌評(píng)選”進(jìn)入公眾投票階段

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

專(zhuān)家說(shuō)丨化合物半導(dǎo)體器件的三大方向進(jìn)展

埃米儀器獲數(shù)千萬(wàn)元Pre-A輪融資

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

脈沖模式下輸出功率超15 W的氮化鎵藍(lán)光激光器

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

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