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安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

飛锃半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)日程出爐

合肥晶合集成電路申請(qǐng)一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無(wú)錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開(kāi)關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開(kāi)關(guān)

氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)日程出爐 | IFWS2024 前瞻

一文解開(kāi)遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

前沿科技 | 無(wú)需半導(dǎo)體材料的電子器件問(wèn)世

富特科技：已實(shí)現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對(duì)成熟

華潤(rùn)微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

中國(guó)科大在鈣鈦礦軟X射線探測(cè)器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年試生產(chǎn)

中國(guó)科大在鈣鈦礦軟X射線探測(cè)器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）建設(shè)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

米家智能小家電拆解匯總：小米的元器件供應(yīng)商都有哪些？

至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

Nature | 康奈爾大學(xué)：光電功能器件最新突破

格蘭菲申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進(jìn)展

漢道精密制造年產(chǎn)1.8億件半導(dǎo)體元器件項(xiàng)目開(kāi)工奠基

忱芯科技申請(qǐng)?zhí)蓟韫β拾雽?dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)板和測(cè)試方法專利

【南昌光電博覽會(huì)】聚焦半導(dǎo)體光電裝備、材料、器件及工藝發(fā)展

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過(guò)薄

元器件采購(gòu)商不想被坑？認(rèn)準(zhǔn)這一招！

中國(guó)科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領(lǐng)域取得新突破

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

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