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北科大與新紫光共同開展二維半導體材料與器件產(chǎn)學研合作

高可靠性高功率半導體器件IDM項目在宜興簽約總投資約30億元

總投資約30億！宜興又簽約一項功率半導體器件項目

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導體器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

中芯集成-U 申請 MEMS 器件及其制備方法專利，避免大量自由電荷堆積在振膜中

CASAS SiC功率器件與模塊工作組第二次會議成功召開

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

清純半導體“半導體功率器件及其制備方法”專利公布

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

三安半導體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）項目樁基建設(shè)啟動總投資52.9億元

北一半導體功率器件項目在江蘇鹽城開工總投資10億元

內(nèi)江高新區(qū)智能綠色電子元器件生產(chǎn)項目建成投產(chǎn)

粵桂半導體器件智能產(chǎn)業(yè)園項目實現(xiàn)竣工

總投資10億元，北一半導體功率器件項目在江蘇鹽城開工

年產(chǎn)60萬片！傲威半導體車規(guī)級功率半導體器件項目開工

合肥芯谷微電子微波器件及模組項目主廠房封頂總投資約11億元

芯谷微電子微波器件及模組項目主廠房封頂

海納股份高端功率器件用半導體級拋光片生產(chǎn)線項目結(jié)頂總投資22.14億元

海納股份高端功率器件用半導體級拋光片生產(chǎn)線項目正式結(jié)頂

士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目今日開工

長晶浦聯(lián)年產(chǎn)200億顆新型元器件項目，預計8月竣工驗收

西安交大科研人員在低維鈣鈦礦器件領(lǐng)域取得進展

CASICON晶體大會前瞻|中國科學院半導體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

CASICON晶體大會前瞻|中國電子科技集團第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

新微半導體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風潮

科技成果推介｜增強型GaN電力電子器件

CASICON晶體大會前瞻|南方科技大學劉召軍:第三代半導體光電器件與Micro-LED新型顯示技術(shù)

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