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中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設備 |?IFWS&SSLCHINA2024

化合物半導體激光器技術(shù)及應用發(fā)展?| IFWS&SSLCHINA2024

平湖實驗室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應用| IFWS2024

眾專家學者探討氮化鎵射頻電子器件與應用的進展與趨勢 |IFWS&SSLCHINA2024

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

姚威振：新型MOCVD反應器設計，促進GaN材料創(chuàng)新發(fā)展 | IFWS&SSLCHINA2024

北京大學沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

擬投資14億！佳麗美半導體電子分立器件制造總部項目簽約落戶丹灶

第十七屆誠邀提名 | “2024年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”重磅開啟！

國宇電子功率器件項目簽約揚州

國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

湖南三安半導體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

北京量子院徐洪起團隊在半導體耦合多量子點器件研究中取得進展

廣州南砂晶圓半導體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

牛津儀器邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會日程出爐|IFWS 2024前瞻

聯(lián)合微電子中心取得一種半導體器件專利，提升半導體器件性能

芯導電子“一種靜電防護結(jié)構(gòu)及制備方法、半導體器件及制備方法”專利公布

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源

聞泰科技半導體業(yè)務與KOSTAL就先進車規(guī)級寬禁帶器件達成戰(zhàn)略合作

【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)分會日程出爐

睿勵科學儀器完成近5億元戰(zhàn)略融資

【IFWS2024】化合物半導體激光器技術(shù)及應用分會日程公布

聯(lián)訊儀器邀您同聚11月IFWS & SSLCHINA2024

廈門大學與三安光電關于大功率激光器壽命研究取得新進展

南京南瑞半導體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

安徽長飛先進半導體申請半導體器件相關專利，使半導體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

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