亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

國內(nèi)首條玻璃基半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線開工總投資2億元

玻芯成半導(dǎo)體玻璃基半導(dǎo)體特色工藝先導(dǎo)線項目開工

廣州增芯科技12英寸先進(jìn)智能傳感器及特色工藝晶圓制造產(chǎn)線項目成功通線

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)

CASICON晶體大會前瞻|北京中電科電子裝備劉國敬：先進(jìn)Grinding設(shè)備及工藝助力大尺寸SiC量產(chǎn)

CASICON晶體大會前瞻 |江蘇通用半導(dǎo)體鞏鐵建：碳化硅晶錠剝離工藝應(yīng)用

年產(chǎn)120萬片6英寸功率半導(dǎo)體特色工藝晶圓產(chǎn)線9月底試生產(chǎn)

投資約20億元，重慶新陵微電子特色工藝晶圓產(chǎn)線預(yù)計9月底建成

俄羅斯首臺光刻機(jī)制造完成：可生產(chǎn)350納米工藝芯片

陜西發(fā)改委：重點開展第三代半導(dǎo)體材料工藝技術(shù)與核心產(chǎn)品攻關(guān)

西安將建成8英寸半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線，填補(bǔ)陜西省相應(yīng)領(lǐng)域空白

深南電路調(diào)研記錄：公司目前已形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的封裝基板生產(chǎn)技術(shù)和工藝

拓荊科技半導(dǎo)體先進(jìn)工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目結(jié)構(gòu)封頂

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線項目實現(xiàn)“交地即交證” 總投資45億元

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目爭2024年建成投產(chǎn)

九峰山實驗室+華中科大聯(lián)合攻關(guān)，一種新型光刻膠技術(shù)完成初步工藝驗證

上海臨港新片區(qū)半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線迎來重大進(jìn)展

四方達(dá)：自主研發(fā)的MPCVD設(shè)備及CVD金剛石工藝已得到批量驗證

浙江麗水云和特色工藝晶圓制造項目奠基總投資51億元

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院器件工藝團(tuán)隊研發(fā)基于全無機(jī)鈣鈦礦的多功能集成光子器件

斯達(dá)微電子高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片項目設(shè)備搬入

清溢光電：已實現(xiàn)180nm工藝節(jié)點半導(dǎo)體芯片掩膜版的量產(chǎn)

標(biāo)普全球：半導(dǎo)體需求推動電子化學(xué)品增長

增芯12英寸先進(jìn)智能傳感器及特色工藝晶圓制造量產(chǎn)線項目搬入首臺設(shè)備

盛美上海：Track設(shè)備預(yù)計在明年年中有望完成與光刻機(jī)的對接工藝測試

IFWS 2023│國瑞升苑亞斐：碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術(shù)

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

賽微電子：擬與子公司以1.8億元設(shè)合資公司，實施MEMS高頻通信器件制造工藝開發(fā)項目

IFWS 2023│南京大學(xué)修向前：基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

旭光電子：氮化鋁結(jié)構(gòu)件已應(yīng)用于半導(dǎo)體光刻工藝等且實現(xiàn)銷售

第2頁/共8頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部