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中車電驅(qū)獲ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)、ASIL D雙重認(rèn)證

《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試白光干涉法》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)第一次討論會召開

順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）主體結(jié)構(gòu)順利封頂

專家學(xué)者齊聚探究第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測的進(jìn)展與趨勢 | IFWS&SSLCHINA2024

CASA立項(xiàng)“半導(dǎo)體材料紫外光電子能譜測試方法”等2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)“氮化鋁晶片位錯密度檢測方法腐蝕坑密度測量法”等2項(xiàng)氮化鋁團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項(xiàng) SiC MOSFET測試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

【IFWS2024】第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會日程出爐

標(biāo)準(zhǔn) | 碳化硅單晶生長用等靜壓石墨等2項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

浪潮華光參與制定的國家標(biāo)準(zhǔn)《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試透射電子顯微鏡法》正式發(fā)布

博世與Tenstorrent合作開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)化汽車芯片

順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）建設(shè)進(jìn)度過半

國家工信部批準(zhǔn)！這項(xiàng)量子通信領(lǐng)域行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)由光谷企業(yè)牽頭制定

工信部公布三項(xiàng)智能網(wǎng)聯(lián)汽車強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)

第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房（二期）項(xiàng)目建設(shè)穩(wěn)步推進(jìn)

CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)SiC MOSFET動態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)方法2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見

標(biāo)準(zhǔn)| SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見

標(biāo)準(zhǔn) | 2項(xiàng)GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

山東累計(jì)建成開通5G基站22.4萬個(gè)，建成數(shù)據(jù)中心標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架35.1萬個(gè)

CASA與CSA共同立項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《面向光治療的柔性LED光源拉伸度測試方法》

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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2024九峰山論壇報(bào)告搶先看！平行論壇7：先進(jìn)半導(dǎo)體檢測技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》標(biāo)準(zhǔn)

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