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華燦光電：已與多個終端客戶公司開展氮化鎵電力電子器件等應用領域合作

中科半導體氮化鎵外延片及單晶襯底材料研發(fā)生產項目落戶贛州經開區(qū)

這個項目將新添一條氮化鎵共封裝器件生產線年產值可達到12億元

燦科半導體將增加一條氮化鎵共封裝器件生產線年產值可達12億元

北大物理學院量子材料科學中心高鵬研究員與合作者首次在玻璃襯底上異質外延出準單晶氮化鎵薄膜

賽維電子：聚能創(chuàng)芯融資事項正在推進中碳化硅基氮化鎵材料及制造方面具有技術儲備

總投資19億元 10條氮化鎵產線將落地山西

寧波新材料五年發(fā)展規(guī)劃出爐，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等第三代半導體材料被提及

總投資300億元，金普新區(qū)與正威集團合作將建以氮化鎵半導體為核心的第三代半導體產業(yè)基地等

《Nature Electronics》：港科大氮化鎵基互補邏輯集成電路研究取得重大成果

南科大馬俊在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領域取得進展

奔涌在時代長河中的半導體產業(yè)

第三代半導體的激流與險灘

國際首次，中科院院士在玻璃襯底上“異質外延”出準單晶氮化鎵薄膜

兆馳股份：公司氮化鎵芯片產能位于行業(yè)前列，未來不排除根據市場發(fā)展情況繼續(xù)擴產的可能

玻璃襯底上首次“異質外延”出準單晶氮化鎵薄膜

寬禁帶半導體：一場能源轉換鏈中的革命

華為入局氮化鎵快充市場，2021或迎GaN快充爆發(fā)期？

日本研發(fā)新型具有高溫度穩(wěn)定性的氮化鎵MEMS諧振器

利亞德：公司參股的Saphlux屬于第三代半導體

芯片新局面：第三代半導體迎來新機遇

半導體新格局|缺芯全球蔓延, 國產替代迎機遇

氮化鎵（GaN）射頻器件市場：2026年預計達到24億美元以上

奧趨光電正式批量量產新一代超寬禁帶半導體高端材料—— 高質量氮化鋁單晶襯底系列產品

全球首條產線！英諾賽科蘇州8英寸硅基氮化鎵芯片產線正式大規(guī)模投產

到2027年，氮化鎵和碳化硅功率半導體市場預計將超過45億美元

石家莊六大重點工程出爐，將加快6英寸碳化硅外延、氮化鎵外延、12英寸硅外延量產化進程

氮化鎵產業(yè)鏈深度解析

金溢科技擬以 9,000 萬元投資額增資入股深圳鎵華共同開拓氮化鎵在車聯(lián)網領域的應用

氮化鎵（GaN）的工藝歷程

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