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實(shí)現(xiàn)1>1+1的創(chuàng)新！Wolfspeed 碳化硅基氮化鎵功率晶體管，賦能蜂窩通信創(chuàng)新

年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目設(shè)計(jì)采購(gòu)施工總承包公告

博康（嘉興）半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開(kāi)工

博康(嘉興)半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開(kāi)工總投資6億元

總投資約6億元，博康嘉興氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開(kāi)工

英諾賽科孟無(wú)忌：氮化鎵在新能源智能汽車的應(yīng)用探索與實(shí)踐

Yole Group：中國(guó)廠商正引領(lǐng)氮化鎵在消費(fèi)電子應(yīng)用！

美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：中高壓（1-10kV）氮化鎵功率器件新進(jìn)展

重磅收購(gòu)！英飛凌57億元收購(gòu)氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動(dòng)下 PBN（熱解氮化硼）市場(chǎng)需求空間廣闊

氮化鎵功率器件領(lǐng)域的新選擇

南科大電子系化夢(mèng)媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

IFWS：氮化鎵功率電子器件技術(shù)研究進(jìn)展

現(xiàn)場(chǎng)火爆！IFWS：氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)論壇召開(kāi)

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長(zhǎng)爐采購(gòu)廢標(biāo)公告

英諾賽科氮化鎵創(chuàng)新方案領(lǐng)跑2023！

英諾賽科推出高集成半橋驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率芯片ISG3201

簡(jiǎn)述氮化鎵的合成制備及展望

IFWS 前瞻：氮化鎵功率電子器件分會(huì)日程出爐

簡(jiǎn)述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長(zhǎng)爐采購(gòu)競(jìng)爭(zhēng)性磋商公告

簡(jiǎn)述氮化鎵的主要應(yīng)用領(lǐng)域

IFWS 前瞻：氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)分會(huì)日程出爐

清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作利用激光加工氮化硼實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺(tái)達(dá)電子篇

中國(guó)電科46所氮化鋁單晶材料關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破

港府：發(fā)展半導(dǎo)體芯片并非走他人老路，第三代氮化鎵芯片是全球新趨勢(shì)

快訊|奧趨光電成功制備出高質(zhì)量3英寸氮化鋁單晶

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見(jiàn)光通信信號(hào)探測(cè)

CASA發(fā)布T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范

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