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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所伍紹騰：基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

北京大學(xué)教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)研究

廈門大學(xué)張峰：新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所黎大兵研究團(tuán)隊(duì)喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)

易美新創(chuàng)劉國(guó)旭：?jiǎn)尉{(lán)綠雙波長(zhǎng)LED在寬色域背光應(yīng)用的研究

山東大學(xué)徐明升：SiC的高溫氧化研究

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

IFWS 2023│九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦吞蓟铚喜燮骷夹g(shù)研究進(jìn)展

IFWS 2023│南砂晶圓/山東大學(xué)楊祥龍：大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展

基金委部署集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)研究計(jì)劃

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

中科院半導(dǎo)體研究所公開一項(xiàng)集成光子芯片專利可提升光模塊性能

IFWS 2023│晶格領(lǐng)域張澤盛：液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

北京大學(xué)無錫EDA研究院，揭牌！

北京大學(xué)無錫EDA研究院在無錫高新區(qū)揭牌

中國(guó)科學(xué)院在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進(jìn)展

IFWS 2023│日本國(guó)立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器

IFWS 2023│南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

IFWS 2023│中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長(zhǎng)及深能級(jí)缺陷研究

NEC全彩LED恒晶屏點(diǎn)亮文獻(xiàn)資料研究館

IFWS 2023│中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長(zhǎng)GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

SSLCHINA2023│國(guó)星光電研究院趙龍：Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢(shì)

湖南大學(xué)物電院劉淵教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究中取得新進(jìn)展

IFWS 2023│六方氮化硼研究進(jìn)展

IFWS 2023│ 中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六研究所孫杰：高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能

IFWS 2023│廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測(cè)器的開發(fā)

安徽公布首批高水平新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院等上榜

研究機(jī)構(gòu)：2028年全球OLED發(fā)光材料市場(chǎng)將超24億美元，中國(guó)占44%

IFWS 2023│南京大學(xué)蔡青：AlGaN日盲紫外雪崩光電探測(cè)器的優(yōu)化設(shè)計(jì)及擊穿機(jī)理研究

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