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中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

“先進半導體產(chǎn)業(yè)教育發(fā)展研究院”正式成立

中科院北京納米能源與系統(tǒng)研究所所長、歐洲科學院院士王中林：第三代半導體的壓電電子學與壓電光電子學最新進展

美國國家工程院院士Umesh Mishra：高效率氮化物功率半導體和射頻電子研究進展

英飛凌牽頭歐洲聯(lián)合研究計劃預算6000萬歐元發(fā)力氮化鎵功率器件

保定第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院正式成立

陜西征集集成電路產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展研究課題承擔單位

廈門大學張洪良團隊在寬禁帶氧化鎵半導體摻雜電子結構研究取得進展

廈門大學教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結構研究

南京郵電大學氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

【CASICON 2023】中國電科第十三研究所蘆偉立：電力電子領域寬禁帶半導體外延技術進展

【CASICON 2023】河北工業(yè)大學張紫輝教授：GaN功率電子器件的物理建模與制備研究

【CASICON 2023】中南大學孫國遼博士：高性能功率器件封裝互連方法研究進展

【CASICON 2023】中電科第四十八研究所鞏小亮：碳化硅芯片制造裝備技術發(fā)展趨勢及國產(chǎn)化進展

中電科第四十八研究所鞏小亮受邀將出席2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發(fā)展論壇并作大會報告

半導體所在氮化物材料外延研究中取得新進展

華大九天科技副總經(jīng)理朱能勇：基于第三代半導體技術的EDA方法研究與應用

中國半導體十大研究進展候選推薦——溶液生長BiI/BiI3范德華異質結構實現(xiàn)高靈敏X-射線探測

復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所招賢納士！

武進南京大學未來技術創(chuàng)新研究院啟動建設，將瞄準先進材料等產(chǎn)業(yè)領域

簡述基于可調諧半導體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測研究

基于金剛石的先進熱管理技術研究進展

寬禁帶半導體國家工程研究中心常州分中心揭牌

寬禁帶半導體國家工程研究中心常州分中心揭牌，龍城芯谷項目啟動

復旦研究團隊實現(xiàn)單芯片紫光Micro-LED超過10Gbps通信速率

廈大與黑龍江大學研究人員合作在有機光子器件及其集成領域取得重要進展

工信部副部長：6G處于對需求和關鍵技術的研究階段

西電蕪湖研究院寬禁帶半導體器件試制線成功通線

湖州市吳興區(qū)聯(lián)合暨南大學校等合作共建集成電路產(chǎn)業(yè)研究院

西安交大科研人員在垂直結構hBN/BAlN異質結電學特性研究方面取得重要進展

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