亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<code id="wlilq"><progress id="wlilq"><tt id="wlilq"></tt></progress></code><blockquote id="wlilq"><form id="wlilq"></form></blockquote>

<rp id="wlilq"></rp>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

揚(yáng)杰電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡單

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC，效率更高，設(shè)計(jì)更簡單

富特科技：已實(shí)現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對成熟

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所SiC晶圓平坦化設(shè)備采購項(xiàng)目競爭性磋商

爍科晶體SiC二期項(xiàng)目通過竣工驗(yàn)收，正式投產(chǎn)！

新潔能：SiC/GaN項(xiàng)目年底竣工投產(chǎn)

鉅芯半導(dǎo)體新建SiC生產(chǎn)線

方正微電子8吋SiC線年底通線

方正微電子：2025年將具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

泰國將投資3.5億美元建設(shè)首個(gè)SiC工廠，預(yù)計(jì)2027年運(yùn)營

利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

20億！科友半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目簽約杭州

ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)

長飛先進(jìn)武漢基地SiC項(xiàng)目

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國內(nèi)第一

漢磊&世界先進(jìn)攜手共建8吋SiC產(chǎn)線

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議

捷報(bào)！合盛8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線貫通

上半年SiC汽車中國銷售近110萬輛，多家SiC概念股受益業(yè)績大增

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實(shí)現(xiàn)將源于生長區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

三安半導(dǎo)體與虹安微電子戰(zhàn)略合作，加強(qiáng)SiC領(lǐng)域合作

芯聯(lián)集成：公司SiC以及功率模組的增長主要受益于頭部客戶需求增加及國產(chǎn)替代的需求

羅姆第4代SiC MOSFET大量應(yīng)用于吉利旗下品牌“極氪”3款車型

德智新材半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項(xiàng)目落戶惠山經(jīng)開區(qū)

揚(yáng)杰科技：IGBT和SiC產(chǎn)品有序推進(jìn)中

三安光電：上半年?duì)I業(yè)收入76.79億元，SiC營收5.12億元

《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項(xiàng)目落戶惠山經(jīng)開區(qū)

總投資約10億元，半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項(xiàng)目簽約落地

第2頁/共27頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部