2021功率半導(dǎo)體與車用LED技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用論壇
綜合報道
2021功率半導(dǎo)體與車用LED技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用論壇在上海世博展覽館成功舉辦,論壇得到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)的指導(dǎo),以及愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司、吉永商事株式會社、天津賽米卡爾科技有限公司、南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司的大力支持。
專家觀點
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山分享了“功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與前景展望”的主題報告,詳細分享了功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用、技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢。他表示,功率半導(dǎo)體已處于技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最佳時機,其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的份額將不斷增長,當(dāng)前需要集中優(yōu)勢資源,突破技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化瓶頸,加速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,功率半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)還在不斷的進步和發(fā)展,新材料、新工藝、新器件將不斷涌現(xiàn)。第三代半導(dǎo)體材料和器件,在電力變換與控制方面展現(xiàn)出優(yōu)異的性能,將極大促進功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)跨入新的、更高階段。
廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司總裁周曉陽帶來了“碳化硅功率模塊在新能源汽車中的應(yīng)用”的主題報告,分享了最新發(fā)展趨勢,相關(guān)封裝設(shè)計優(yōu)化思路及工藝挑戰(zhàn)等。
北京一徑科技有限公司全球營銷副總裁邵嘉平做了“激光雷達與自動駕駛最新發(fā)展”的主題分享。其中,報告認為自動駕駛貨車商業(yè)模式清晰,有望超預(yù)期落地,無人駕駛出租車將在2025年前后達到成本拐點,AVP可率先實現(xiàn)高級別自動駕駛在城市場景的落地,無人末端配送有望快速落地封閉小區(qū),企業(yè)園區(qū)等場景,帶來成本和效率的優(yōu)化,礦區(qū)自動駕駛是需求剛性,高確定性的落地場景。自動駕駛用雷達也將有看得遠、看得廣、看得準(zhǔn)等新的要求。
南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司技術(shù)總監(jiān)雷建明做了題為“氮化鎵功率開關(guān)器件及其在超輕薄開關(guān)電源領(lǐng)域的應(yīng)用研究”的主題報告,從器件、驅(qū)動、控制、拓撲電路等方面全方位提出解決方案,在實現(xiàn)超輕薄目標(biāo)的基礎(chǔ)上,進一步提升產(chǎn)品的效率和工作可靠性。
德國賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖帶來了“針對碳化硅功率模塊的先進封裝解決方案”的主題報告,詳細分享了一套針對碳化硅功率器件的完整封裝解決方案。
以LED車用照明、智能感測、健康智能照明、三代半UVC四大核心業(yè)務(wù),堅持光科技,塑造健康智能新生活為使命的寧波升譜光電股份有限公司的副總經(jīng)理尹輝出席論壇,并分享了“新能源車用LED封裝技術(shù)趨勢”的主題分享。
吉永商事株式會社社長陳海龍帶來了“量產(chǎn)型SiC功率器件背面工藝技術(shù)提案”,詳細分享了具有實踐意義的背面減薄技術(shù)提案與激光退火技術(shù)提案。
中電南方國基集團有限公司高級工程師李士顏帶來了“功率碳化硅 MOSFET芯片及模塊研究進展及應(yīng)用”的主題報告,他表示,國際上SiC功率器件市場化應(yīng)用速度提升,在電動汽車、電源、軌道交通等領(lǐng)域的應(yīng)用將進入爆發(fā)期,市場產(chǎn)值將急劇擴張,國內(nèi)SiC功率器件迅速布局,技術(shù)進步迅速,自主芯片國產(chǎn)替代前景廣闊。大尺寸SiC襯底、SiCMOSFET技術(shù)成熟度仍需提高,SiCMOSFET器件應(yīng)用技術(shù)提升是SiC市場的重要牽引。
愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司市場總監(jiān)李茂林做了題為“碳化硅功率器件制造中ULVAC的量產(chǎn)技術(shù)”的主題報告,分享了SiC功率器件制造過程中的ULVAC設(shè)備和技術(shù)整體解決方案,詳細說明了高溫離子注入技術(shù)、碳膜濺射技術(shù)及高溫退火技術(shù)是不同于硅基器件的特殊工藝制程。
蘇州晶湛半導(dǎo)體科技有限公司的市場經(jīng)理陳宇超帶來了“應(yīng)用于功率器件的硅基GaN外延片進展”的主題報告,結(jié)合具體的數(shù)據(jù)分享了650V應(yīng)用的D模和E模硅基GaN外延片的進展,并介紹了面向更高電壓/電流應(yīng)用的多通道器件研究進展。