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日本
FOX公司計(jì)劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓
評論 ?
2024-10-21 17:07
日本
開發(fā)在磁場下實(shí)現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件
評論 ?
2024-04-07 18:23
日本
初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料 成本降低75%
評論 ?
2024-03-06 13:19
日本
團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展
鉆石
MOSFET
評論 ?
2023-12-29 16:52
金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍
日本大阪公立大學(xué)
東北大學(xué)
金剛石
基板
氮化鎵
晶體管
評論 ?
2023-12-21 16:57
日本
開發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電
評論 ?
2023-11-16 16:59
日本
東京大學(xué)開發(fā)出新一代半導(dǎo)體加工技術(shù) 封裝基板布線用孔降至6微米以下
評論 ?
2022-11-16 09:26
日本
團(tuán)隊(duì)合作開發(fā)出高品質(zhì)第三代100mm氧化鎵外延片
評論 ?
2022-03-28 17:18
日本
京都大學(xué)成功演示SiC在350°C下也能工作
評論 ?
2022-03-28 15:32
無懼高溫！
日本
研究開發(fā)基于GaN的MEMS諧振器
評論 ?
2021-01-25 12:41
大口徑無曲翹！
日本
開發(fā)出有助于節(jié)能的氮化鎵單晶基板量產(chǎn)法
大口徑
無曲翹
日本
氮化鎵
單晶基板
量產(chǎn)法
評論 ?
2020-06-16 14:09
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