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  • 【視頻報告 2018】復
    復旦大學副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結合以上功能，可以實現用于大數據和物聯網的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報道。
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】復
    復旦大學副教授張樹宇在《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點薄膜》主題報告中表示，全無機CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(QDs)由于其優(yōu)異的光學性能，包括極高的光致發(fā)光量子產率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調發(fā)射，很可能成為下一代量子點顯示技術。在制造過程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結晶，為低成本大批量生產CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而，RT合成的QDs在工作條件下的穩(wěn)定性性能與傳統(tǒng)QDs不具
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】株
    株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業(yè)部副總經理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術報告；
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】基
    深圳基本半導體有限公司副總經理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術IP和產業(yè)化經驗。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】Vic
    美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】Mie
    瑞典皇家工學院工程科學院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設備的現狀和采用前景》，報告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項目的概況和重點。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉換系統(tǒng)在各種應用中的節(jié)能方面的革命性進展。簡要介紹了瑞典材料、技術和設備研發(fā)領域的相關項目。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技術官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調制》技術報告；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】P.S
    高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報告 2018】周
    美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報告 2018】香
    矩陣轉換器被認為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉換結構，因為其主要依賴于雙向開關而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應用將帶來新一代矩陣轉換器的重大發(fā)展與變革。香港應用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報告 2018】Kaz
    特阿卜杜拉國王科技大學的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優(yōu)化和反應器設計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內成功仿真AlGaN生長?？紤]到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設計升級反應器。
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    limit2021-04-29 12:24
  • 【視頻報告 2018】維
    美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監(jiān)Mark MCKEE分享了《Micro-LED顯示屏：關鍵制造挑戰(zhàn)和MOCVD技術》報告。他介紹到，微型LED顯示屏比其他顯示技術，如背光LED顯示屏、OLED顯示屏和等離子顯示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加堅固柔韌。然而，微型LED顯示屏的缺點之一是制作復雜，這導致了較高的顯示成本。在嚴格堅持目標成本的同時，微型LED顯示屏優(yōu)秀性能和良率為其制造帶來了許多挑戰(zhàn)。報告中提出，從外延和LE
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    limit2021-04-29 12:24
  • 【視頻報告 2018】中
    中電科電子裝備集團有限公司離子注入機技術總監(jiān)張叢分享了《國產離子注入機發(fā)展及應用》主題報告。
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    limit2021-04-29 12:24
  • 【視頻報告 2018】江
    　江蘇大學左然教授分享了《AlN MOCVD的氣相和表面反應機理的量子化學計算》研究報告。他介紹到，課題組利用量子化學的密度泛函
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  • 【視頻報告 2018】中
    中微半導體設備（上海）有限公司副總裁MOCVD產品事業(yè)部總經理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產型MOCVD機臺設計及外延生長的挑
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  • 【視頻報告 2018】北
    北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司產品總監(jiān)董博宇帶來了《磁控濺射制備的ITO薄膜在LED領域中的開發(fā)及應用》主題報告。
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  • 【視頻報告 2018】南
    【極智報告】南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬
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    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報告 2018】西
    西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報告 2018】敖
    日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術是非常有前景的新技術，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內的電源供應等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎工業(yè)領域（如5G通訊基站）具有廣泛的應用前景?；A工業(yè)應用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導體通過一個系統(tǒng)工程，從產品設計，工藝開發(fā)，器件生產，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴格的程序進行，確
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    limit2021-04-29 12:21
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