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加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了《用于增強(qiáng)型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動(dòng)芯片》研究報(bào)告。吳偉東，多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工

山東大學(xué)教授陶緒堂做了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進(jìn)展的報(bào)告，分享了在氧化鎵晶體生長方面的研究實(shí)踐及成果。

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報(bào)告，分享了其最新研究成果。

河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級工程師王晶晶金剛石場效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評價(jià)的報(bào)告，結(jié)合相關(guān)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設(shè)備來進(jìn)行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實(shí)現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報(bào)告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點(diǎn)，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進(jìn)度緩慢。一個(gè)主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進(jìn)步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

加拿大多倫多大學(xué)教授Wai Tung NG則帶來了“GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路”研究報(bào)告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通...