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  • 上海交通大學(xué)教授郭小
    面向柔性顯示與傳感的有機(jī)薄膜晶體管器件與陣列集成Organic Thin Film Transistor Device and Array Integration for Flexible Display and Sensing郭小軍上海交通大學(xué)教授GUO XiaojunProfessor of Shanghai Jiaotong University
    88800
    guansheng2023-05-22 14:08
  • 鼎泰芯源晶體董事長趙
    高質(zhì)量磷化銦和銻化鎵襯底制備技術(shù)進(jìn)展及批量生產(chǎn)Progress in Preparation Technology and Batch Production of High Quality InP and GaSb Substrates趙有文珠海鼎泰芯源晶體有限公司董事長ZHAO YouwenChairman of Zhuhai DT Wafer-Tech Co.,lTD
    100500
    guansheng2023-05-22 13:36
  • 思體爾軟件副總經(jīng)理付
    超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經(jīng)理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.
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    guansheng2023-05-19 14:47
  • 中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研
    超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices張興旺中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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    guansheng2023-05-19 14:21
  • 北京大學(xué)工學(xué)院特聘研
    超高熱導(dǎo)率立方砷化硼和氮化硼晶體Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大學(xué)工學(xué)院特聘研究員SONG BaiProfessor of Peking University
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    guansheng2023-05-19 14:21
  • 西安電子科技大學(xué)韓根
    氧化鎵異質(zhì)結(jié)功率晶體管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韓根全西安電子科技大學(xué)教授HAN GenquanProfessor of Xidian University
    94500
    guansheng2023-05-19 14:19
  • 蘇州大學(xué)功能納米與軟
    鈣鈦礦LED晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes謝躍民蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University
    66100
    guansheng2023-05-19 13:51
  • 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)譚鵬
    零回滯氧化鎵光電晶體管 從光電導(dǎo)效應(yīng)到光柵效應(yīng)譚鵬舉，鄒燕妮，趙曉龍*，侯小虎，張中方，丁夢璠，于舜杰，馬曉蘭，徐光偉，胡芹*，龍世兵中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
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    guansheng2022-09-02 16:03
  • 中山大學(xué)王鋼：基于金
    基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用王鋼*，陳偉驅(qū)，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學(xué)
    56700
    guansheng2022-09-01 16:13
  • 深圳大學(xué)范澤龍:基于
    基于帶狀氮化鋁晶體真空紫外探測器研究范澤龍，武紅磊，孫振華深圳大學(xué)
    54900
    guansheng2022-09-01 12:17
  • 南京大學(xué)王海萍:基于
    基于增強(qiáng)型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍，游海帆，陳敦軍*，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    54600
    guansheng2022-09-01 12:16
  • 張逸韻：高溫氣氛退火
    《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
    8200
    limit2022-01-07 14:21
  • 張輝：氧化鎵晶體的生
    《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心
    24200
    limit2022-01-07 14:18
  • 王艷豐：大面積單晶金
    《大面積單晶金剛石及場效應(yīng)晶體管研究》作者：王艷豐，王瑋，常曉慧，張曉凡，朱天飛，劉璋成，陳根強(qiáng)，王宏興單位：西安交通大學(xué)教育部物理電子器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，西安交通大學(xué)電子與信息學(xué)部寬禁帶半導(dǎo)體與量子器件研究所
    10300
    limit2022-01-06 10:24
  • 朱昱豪：基于氮化鎵金
    《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院
    26600
    limit2022-01-05 17:11
  • 李思哲：用于Micro LE
    《用于Micro LED驅(qū)動的ZnO短溝道薄膜晶體管》作者：李思哲，陳雪，吳昊，劉昌單位：武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)教育部
    25400
    limit2022-01-05 13:24
  • 【視頻報(bào)告 2018】加
    加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實(shí)現(xiàn)Micro-LED》研究報(bào)告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機(jī)光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進(jìn)之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。
    66700
    limit2021-04-29 12:30
  • 【視頻報(bào)告 2018】Vic
    美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯(cuò)和耐久性的影響》；
    185400
    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】加
    與功率MOS場效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動集成電路需要外部電阻器設(shè)定上拉速度和下拉速度，這將導(dǎo)致印刷電路板空間和額外寄生效應(yīng)的增加?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時(shí)控制能力等也限制了其應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了
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    limit2021-04-29 12:05
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