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中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠(yuǎn)程外延晶體鈣鈦礦

爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

上海天岳申請一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

上海積塔半導(dǎo)體申請?zhí)蓟?span id="bjxwrku" class="highlight">晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

爍科晶體SiC二期項目通過竣工驗收，正式投產(chǎn)！

予秦半導(dǎo)體晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評公示

江蘇集芯申請大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長速率相一致

華芯紫辰半導(dǎo)體化合物晶體產(chǎn)業(yè)化項目落地

山西華芯半導(dǎo)體晶體材料產(chǎn)業(yè)基地二期基建完成

華芯紫辰半導(dǎo)體化合物晶體產(chǎn)業(yè)化項目落地紅寺堡

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實現(xiàn)將源于生長區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

上海漢虹8英寸碳化硅晶體成功出爐

北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長裝置”專利公布

北美科學(xué)家研發(fā)出一種新型超薄晶體薄膜半導(dǎo)體

CASICON晶體大會平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進(jìn)展

CASICON晶體大會平行論壇3：砷化鎵、磷化銦晶體及激光器技術(shù)

CASICON晶體大會平行論壇4：金剛石和半導(dǎo)體測試技術(shù)最新進(jìn)展

CASICON晶體大會平行論壇1：聚焦碳化硅晶體技術(shù)及其應(yīng)用

新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會濟(jì)南召開

CASICON晶體大會前瞻|英谷激光肖旭輝：激光助力半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新

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CASICON晶體大會前瞻|澈芯科技誠邀您同聚“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會”

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院大連化學(xué)物理所李剛：高質(zhì)強光光學(xué)元件制造與薄片激光技術(shù)

CASICON晶體大會前瞻|中國工程物理研究院高松：半導(dǎo)體泵浦重頻激光模塊及激光技術(shù)進(jìn)展

倒計時| 2024新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會將于6月21-23日濟(jì)南召開

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