2021年12月29日，中鎵半導體宣布，他們成功地將2英寸氮化鎵自支撐襯底產品的位錯密度降低到了4×105 cm-2 到 7×105 cm-2范圍，并且目前新產品已經開始量產銷售。
中鎵半導體提供硅摻雜的2英寸高電導率氮化鎵自支撐襯底，可用于制備半導體藍綠光激光器和垂直型氮化鎵功率器件。此外，公司還提供碳摻雜的2英寸半絕緣氮化鎵自支撐襯底，可用于制備高性能微波射頻器件。
圖1為使用陰極螢光掃描電子顯微鏡實拍的2英寸氮化鎵自支撐襯底產品的位錯密度mapping，產品所有區(qū)域的位錯密度均在4×105 cm-2to 7×105 cm-2范圍。
圖1 位錯密度mapping
Source：中鎵半導體
圖2為使用原子力顯微鏡測試的2英寸氮化鎵自支撐襯底的表面粗糙度mapping。每個未知的測試區(qū)域均為1μm×1μm大小，所有區(qū)域表面粗糙度(RA)均小于0.2nm。
圖2 表面粗糙度mapping
Source：中鎵半導體
使用高精度X射線衍射儀測試了產品的晶體質量，整面襯底的C晶向偏M晶向角度和C偏A鏡像角度分別在0.35±0.01°和0.00±0.01°范圍。(0002)晶面和(10-12)晶面搖擺曲線半峰寬均在30弧秒以內。
表1 不同位置晶向偏角和晶體質量測試
Source：中鎵半導體
