東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年1月，總部設(shè)于廣東東莞，總注冊資本為1.3億元人民幣，總部設(shè)立廠房辦公區(qū)等共17000多平方米，并在北京設(shè) 立面積達1000平方米的大型研發(fā)中心，為中國國內(nèi)首家專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵（GaN）襯底材料的企業(yè)。
- 人才隊伍
企業(yè)以北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心為技術(shù)依托，引進國內(nèi)外優(yōu)秀的技術(shù)及管理團隊， 2010年獲建博士后工作站，截至2019年有院士1人，教授級別人員共 1人，博士9人，碩士27人，擁有先進的技術(shù)及管理優(yōu)勢。
