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電子科技大學朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導體薄膜電子器件研究成果

美國實驗室研發(fā)新型激光技術，有望大幅提升芯片制造效率

基于新型SiC復合襯底的低成本MOSFET取得重要進展

中國科學院研制出新型鋯鈦酸鉛光子集成工藝開發(fā)套件

大連理工大學學生團隊攻克新型電力系統(tǒng)抗擾動能力弱難題

北美科學家研發(fā)出一種新型超薄晶體薄膜半導體

中國科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

九峰山實驗室+華中科大聯(lián)合攻關，一種新型光刻膠技術完成初步工藝驗證

福建物構所新型高效近紅外量子點熒光粉及其micro-LED應用獲進展

科學家研發(fā)出新型散熱材料超薄金剛石膜可將電動汽車充電速度提升五倍

北大團隊新型器件技術加速GaN進入工業(yè)與汽車應用

蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領域取得進展

山東大學陶緒堂教授團隊提出一種新型氧化物X射線探測材料的設計思路

簡述低電感ANPC拓撲結構集成新型950V IGBT和二極管技術

基于垂直架構的新型二維半導體/鐵電多值存儲器取得進展

半導體所等研究團隊合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進展

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設備

一種基于基板埋入技術的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設計方法

新型二維原子晶體材料Si?C??的構筑

加州大學伯克利分校研究人員開發(fā)出一種新型半導體激光器

我國研究者開發(fā)AlNO新型緩沖層，提升綠光LED效率方面獲重大進展

廣東省科學院半導體研究所新型顯示團隊在微器件巨量組裝和集成領域重要研究進展

新型波導側壁光柵低噪聲半導體量子點DFB激光器前沿進展

能效有望突破1000倍，華中科大科研團隊新型存儲芯片取得重大進展

Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提高功率密度

丹麥技術大學副教授歐海燕：碳化硅，一種新型的集成光子和量子集成光子平臺

固體所研發(fā)出新型高效固態(tài)熱二極管

南科大馬俊在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領域取得進展

TCL華星開發(fā)全新量子點圖案化技術：大于 1000PPI

香港城市大學研發(fā)出仿如人類皮膚的新型觸覺傳感技術

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