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中科院宣布，光計(jì)算芯片領(lǐng)域新突破！

從600塊降到10塊，中科院攻克重要芯片技術(shù)難關(guān)

中科院研發(fā)銅摻雜p型半導(dǎo)體材料，可印制1-20nm厚的二維薄膜材料

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見光通信信號(hào)探測(cè)

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

補(bǔ)盲激光雷達(dá)，角分辨率越小越好嗎？

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

打破電動(dòng)汽車“里程焦慮”，主驅(qū)能效如何升級(jí)？

我國(guó)研究者開發(fā)AlNO新型緩沖層，提升綠光LED效率方面獲重大進(jìn)展

華為公布量子芯片新專利，若實(shí)現(xiàn)商用或革新當(dāng)下硅基芯片技術(shù)

?Wolfspeed：先進(jìn)碳化硅技術(shù)，助力簡(jiǎn)化半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計(jì)

AMD計(jì)劃加快CPU及GPU規(guī)格迭代，將全面導(dǎo)入chiplet技術(shù)

? Wolfspeed：采用碳化硅技術(shù)，滿足最新能效標(biāo)準(zhǔn)

中國(guó)芯片率先將量子技術(shù)引入手機(jī)芯片，以差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)挑戰(zhàn)高通

2個(gè)數(shù)量級(jí)提速，湖南大學(xué)自研“存算一體”非馮·諾依曼類腦芯片架構(gòu)

生效條件正在變化，摩爾定律到盡頭了嗎？

尋找合適的半導(dǎo)體技術(shù)，解決數(shù)據(jù)中心電源挑戰(zhàn)

又2項(xiàng)，華為再公開芯片相關(guān)專利

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

牛津大學(xué)研發(fā)出特殊藍(lán)寶石光纖傳感器，破解了長(zhǎng)達(dá)20年的技術(shù)瓶頸

蘇州大學(xué)揭建勝教授團(tuán)隊(duì)提出有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜制備新方法，遷移率變異系數(shù)僅9.8%

能效有望突破1000倍，華中科大科研團(tuán)隊(duì)新型存儲(chǔ)芯片取得重大進(jìn)展

Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提高功率密度

英偉達(dá)前副總裁花18個(gè)月，在中國(guó)造出了12nm全功能GPU芯片

郭浩中教授、劉新科研究團(tuán)隊(duì)在Micro-LED背光模組研究中獲得新進(jìn)展，均勻度性能提升32%

瀾起科技：整個(gè)DDR5相關(guān)芯片價(jià)值量高于DDR4，DDR5第二子代芯片正在研發(fā)

首次成功將超薄半導(dǎo)體和超導(dǎo)體結(jié)合，實(shí)現(xiàn)以零電阻導(dǎo)電

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

丹麥技術(shù)大學(xué)副教授歐海燕：碳化硅，一種新型的集成光子和量子集成光子平臺(tái)

光通信技術(shù)未來(lái)更加凸顯其重要性，聽專家學(xué)者們?cè)趺凑f(shuō)？！

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