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基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

中國(guó)電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術(shù)及應(yīng)用通過(guò)技術(shù)鑒定

簡(jiǎn)述MOSFET與IGBT的區(qū)別

簡(jiǎn)述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動(dòng)汽車

簡(jiǎn)述SiC MOSFET短路保護(hù)時(shí)間

簡(jiǎn)述功率MOSFET電流額定值和熱設(shè)計(jì)

MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效

溝槽型SiC MOSFET 工藝流程及SiC離子注入

SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用

國(guó)際首臺(tái)基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過(guò)全部型式試驗(yàn)

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測(cè)試分析

柵極驅(qū)動(dòng)器以及 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)分析

SiC MOSFET的Vgs門(mén)極電壓的選取及其影響

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對(duì)并聯(lián)均流的影響

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提高功率密度

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET

如何減少SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗

科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能應(yīng)用創(chuàng)新

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