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美國實驗室研發(fā)新型激光技術，有望大幅提升芯片制造效率

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

昕感科技申請一種終端復合結構及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

漢斯半導體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利，拋光效率高

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達1500 VDC，效率更高，設計更簡單

南大譚海仁教授課題組刷新全鈣鈦礦光伏電池光電轉化效率世界紀錄

格創(chuàng)東智天樞AI平臺3.0：從數據到效果，閉環(huán)服務提升產線效率

福建泓光半導體材料取得一種光刻膠自動過濾裝置專利，提高工作效率

豪緯集團申請一種基于微納陣列結構 GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結構中有源層的發(fā)光效率

極紫外光刻新技術問世能大幅提高能源效率并降低半導體制造成本

銀河微電申請SiCMOSFET板級封裝優(yōu)化設計方法專利，設計效率高

廣電計量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

天岳先進：持續(xù)進行碳化硅單晶基礎研究以提高晶體生長效率和質量

中科潞安量產產品性能再升級大功率UVC-LED器件實驗室效率破9.5%

三安光電臧雅姝：固態(tài)紫外線光源現狀和技術挑戰(zhàn)

利用激光垂直剝離突破碳化硅SiC切割成本與效率，晶飛半導體獲數千萬元天使輪融資

SSLCHINA2023│北京大學教授陳志忠：利用溝槽結構生長高效率InGaN紅光

SSLCHINA2023│北京工業(yè)大學郭偉玲：MicroLED的尺寸效應與高色彩轉換效率

美國國家工程院院士Umesh Mishra：高效率氮化物功率半導體和射頻電子研究進展

泰克攜手芯源系統(tǒng)(MPS)助力高效率高功率密度電源應用

美國Bolb公司董事長張劍平博士：透明紫外C波段發(fā)光二極管的光提取效率和性能

美國Bolb Inc.董事長兼首席技術官張劍平：透明紫外C波段發(fā)光二極管的光提取效率和性能

武大研究團隊實現24.1%高效率鈣鈦礦近紅外發(fā)光LED

廈門大學&西北工業(yè)大學Adv. Sci.: 19.6%效率！高效穩(wěn)定1D/3D鈣鈦礦光伏組件

簡述提高GaN效率的新?lián)诫s技術

暨南大學研究團隊鈣鈦礦室內光伏組件轉換效率超過36%

范德華力輔助傳熱工程用于柔性鈣鈦礦電池 41.3%高效率

南方電網推出新一代充電樁充電峰值效率達96%

Wolfspeed：SiC 功率模塊最大限度提高有源前端效率

廈門大學康俊勇教授團隊與乾照光電合作在提升綠光LED效率方面獲重大進展

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