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Wolfspeed：SiC 功率模塊最大限度提高有源前端效率

4H-SiC紫外光電探測(cè)器最新成果

SiC 動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法簡(jiǎn)述

柵極驅(qū)動(dòng)器以及 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)分析

SiC MOS產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題分析與設(shè)計(jì)建議

SiC MOSFET的Vgs門極電壓的選取及其影響

25 kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南之PFC仿真

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

25 kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第四部分)：DC-DC級(jí)的設(shè)計(jì)考慮因素和仿真

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對(duì)并聯(lián)均流的影響

設(shè)計(jì)基于SiC的電動(dòng)汽車直流快速充電機(jī)

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

日本京都大學(xué)成功演示SiC在350°C下也能工作

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

電裝SiC功率半導(dǎo)體的誕生之路和未來的可能性

基于SiC逆變器的電動(dòng)汽車永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)研究

國(guó)際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國(guó)際首次超越SiC理論極限

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

意法半導(dǎo)體首批8英寸碳化硅晶圓問世，SiC熱度高漲！

直降7萬！特斯拉Model Y 要借SiC玩極致性價(jià)比？

碳化硅（SiC）技術(shù)，變革汽車車載充電的利器!

SiC賦能光伏與可再生能源功率轉(zhuǎn)換

SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

森國(guó)科推出用于5G微基站電源的碳化硅二極管（SiC JBS）

碳化硅（SiC）迎來爆發(fā)！盤點(diǎn)今年1月份國(guó)外SiC的最新進(jìn)展及技術(shù)

如何減少SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗

國(guó)外SiC的最新進(jìn)展及技術(shù)

SiC器件概述及其熱測(cè)試難點(diǎn)

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