亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<button id="ykiom"><input id="ykiom"></input></button>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

西湖大學(xué)工學(xué)院仇旻團(tuán)隊(duì)研究進(jìn)展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)

利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

江蘇通用半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片

廈門大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長

昆明理工大學(xué)在溶液法生長高純3C-SiC晶體研究方面取得進(jìn)展

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

SiC主驅(qū)逆變器讓電動(dòng)汽車延長5%里程的秘訣

工藝打通！九峰山實(shí)驗(yàn)室全面啟動(dòng)碳化硅（SiC）工藝技術(shù)服務(wù)

國內(nèi)8英寸SiC傳來新進(jìn)展！

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

第三代半導(dǎo)體SiC芯片關(guān)鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

簡述SiC碳化硅單晶的生長原理

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

簡述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

SiC工藝之質(zhì)子注入缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯(cuò)難題

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動(dòng)汽車

簡述SiC MOSFET短路保護(hù)時(shí)間

簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用

基于SiC的電動(dòng)汽車用純電驅(qū)動(dòng)單元研究

簡述SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)

溝槽型SiC MOSFET 工藝流程及SiC離子注入

SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用

國際首臺(tái)基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗(yàn)

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

一種基于基板埋入技術(shù)的SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

第1頁/共3頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<abbr id="6eqqo"><strong id="6eqqo"></strong></abbr>

<tr id="6eqqo"><sup id="6eqqo"></sup></tr>

<samp id="6eqqo"></samp>