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西安交大王宏興教授團(tuán)隊(duì)在單晶金剛石襯底技術(shù)產(chǎn)業(yè)化上取得重大進(jìn)展

溝槽型SiC MOSFET 工藝流程及SiC離子注入

時(shí)代電氣已啟動(dòng)IGBT三期新產(chǎn)線建設(shè)

簡(jiǎn)述兆巴高壓下的金剛石NV中心光探磁共振

IFWS 2022看點(diǎn)前瞻：射頻電子材料與器件

馮志紅團(tuán)隊(duì)在(001)單晶金剛石上制備了具有同質(zhì)外延層的金剛石FET

盤點(diǎn)我國(guó)金剛石半導(dǎo)體與器件科研團(tuán)隊(duì)

金剛石物理性能調(diào)控研究進(jìn)展

IFWS 2022前瞻：LED芯片、封裝與光通信技術(shù)

基于范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電荷采樣光電探測(cè)器

美研究人員開發(fā)出十分鐘快充電動(dòng)汽車新技術(shù)

上海光機(jī)所在光脈沖群速度控制研究方面取得進(jìn)展

清華團(tuán)隊(duì)基于二維面內(nèi)異質(zhì)結(jié)首次同步實(shí)現(xiàn)熱/電整流

蘇州納米所梁偉等在高重復(fù)頻率窄線寬外腔激光器領(lǐng)域取得進(jìn)展

清華團(tuán)隊(duì)基于二維面內(nèi)異質(zhì)結(jié)首次同步實(shí)現(xiàn)熱/電整流

半導(dǎo)體所等研究團(tuán)隊(duì)合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進(jìn)展

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

高壓碳化硅器件封裝國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展

西安交通大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中山大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射頻諧振器

SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用

電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

瀚天天成電子科技(廈門)有限公司招聘

國(guó)際首臺(tái)基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗(yàn)

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

簡(jiǎn)述使用不同類型GaN FET 設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)功率密度

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)綜述

金剛石在器件散熱應(yīng)用中的研究動(dòng)態(tài)幾則

中國(guó)科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進(jìn)展

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

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