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東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取

合肥工業(yè)大學(xué)在可重定義微波無源器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

韓科研團(tuán)隊(duì)研發(fā)新一代半導(dǎo)體氣敏傳感器

深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

解析電子封裝陶瓷基板

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

一文了解金剛石半導(dǎo)體

南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破！

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

簡述晶圓級多層堆疊封裝技術(shù)

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設(shè)備

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實(shí)現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長集成

面向可重構(gòu)整流電路的互補(bǔ)型柵控PN結(jié)電路研究

簡述晶圓級多層堆疊技術(shù)

高導(dǎo)熱金剛石/銅復(fù)合材料的制備與界面調(diào)控研究進(jìn)展

金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

一文讀懂氧化鎵半導(dǎo)體

WOLFSPEED：?使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過選擇性生長方法制備了準(zhǔn)垂直金剛石肖特基二極管

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測試分析

打破電動汽車“里程焦慮”，主驅(qū)能效如何升級？

二維金剛石的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)若干進(jìn)展

中科院合肥研究院安光所團(tuán)隊(duì)在高分辨率激光外差光譜技術(shù)研究方面取得新進(jìn)展

高導(dǎo)熱金剛石材料的制備及器件應(yīng)用進(jìn)展

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