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眾專家學(xué)者探討氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用的進(jìn)展與趨勢 |IFWS&SSLCHINA2024

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

北京大學(xué)沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

擬投資14億！佳麗美半導(dǎo)體電子分立器件制造總部項(xiàng)目簽約落戶丹灶

第十七屆誠邀提名 | “2024年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”重磅開啟！

國宇電子功率器件項(xiàng)目簽約揚(yáng)州

國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

湖南三安半導(dǎo)體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

北京量子院徐洪起團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體耦合多量子點(diǎn)器件研究中取得進(jìn)展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會日程出爐|IFWS 2024前瞻

聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件性能

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)與KOSTAL就先進(jìn)車規(guī)級寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作

【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)分會日程出爐

南京南瑞半導(dǎo)體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

飛锃半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會日程出爐

合肥晶合集成電路申請一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無錫博通申請半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會日程出爐 | IFWS2024 前瞻

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

富特科技：已實(shí)現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對成熟

華潤微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目預(yù)計2025年試生產(chǎn)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

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