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投資949億韓元 Chemtronics將開始建設(shè)第8代OLED蝕刻工廠
評(píng)論 ?
2024-10-30 17:25
CASA立項(xiàng)GaN
HEMT
非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
評(píng)論 ?
2024-08-08 16:23
標(biāo)準(zhǔn) | 2項(xiàng)GaN
HEMT
動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案
評(píng)論 ?
2024-07-26 11:01
新微半導(dǎo)體“一種
HEMT
器件的柵極、
HEMT
器件及其制備方法”專利獲授權(quán)
評(píng)論 ?
2024-06-12 16:15
北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基
HEMT
專利,降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗
評(píng)論 ?
2024-06-03 16:44
北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基
HEMT
專利,降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗
評(píng)論 ?
2024-04-30 16:27
《用于零電壓軟開通電路的GaN
HEMT
動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿
評(píng)論 ?
2024-04-22 15:07
CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大學(xué)孫佳慧:肖特基型p-GaN柵GaN
HEMT
的柵極抗靜電魯棒性
評(píng)論 ?
2024-04-17 16:46
《用于零電壓軟開通電路的GaN
HEMT
動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿
評(píng)論 ?
2024-04-16 15:54
《用于零電壓軟開通電路的GaN
HEMT
動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿
評(píng)論 ?
2024-04-07 19:21
揚(yáng)杰科技申請(qǐng)高封裝功率密度的GaN
HEMT
器件及其制備方法專利
評(píng)論 ?
2024-03-04 17:01
北京大學(xué)申請(qǐng)高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利,提高GaN
HEMT
的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性
評(píng)論 ?
2024-01-17 10:07
性能位居前列! 芯生代科技發(fā)布面向
HEMT
功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品
評(píng)論 ?
2023-11-13 10:33
CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波
HEMT
研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2023-07-23 14:48
CASA發(fā)布《分立GaN
HEMT
功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告
評(píng)論 ?
2022-12-09 16:50
東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN
HEMT
功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案
評(píng)論 ?
2022-11-21 15:29
標(biāo)準(zhǔn) | CASA立項(xiàng)《射頻GaN
HEMT
結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測量方法》等5項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
評(píng)論 ?
2022-11-21 15:27
東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN
HEMT
功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案
評(píng)論 ?
2022-11-11 15:26
東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN
HEMT
功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見
評(píng)論 ?
2022-10-17 17:17
芯導(dǎo)科技:第三代半導(dǎo)體650VGaN
HEMT
產(chǎn)品預(yù)計(jì)今年可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
評(píng)論 ?
2022-09-27 17:05
標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN
HEMT
動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》形成委員會(huì)草案
評(píng)論 ?
2022-07-20 15:48
ROHM確立柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN
HEMT
的量產(chǎn)體制
評(píng)論 ?
2022-04-11 16:58
河北半導(dǎo)體研究所高楠:國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN
HEMT
材料
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:16
中科院半導(dǎo)體研究所張連:亞毫米波段GaN基
HEMT
與選區(qū)外延技術(shù)研究
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:47
韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE:i-line步進(jìn)器實(shí)現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN
HEMT
器件的性能和可靠性
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:39
中國科技大學(xué)Alsaman A. amgad:
HEMT
器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:34
西交利物浦大學(xué)王惟生:使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-
HEMT
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:47
電子科技大學(xué)李曦:GaN
HEMT
功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機(jī)理研究
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:29
IFWS 2021前瞻:中科院半導(dǎo)體研究所副所長張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇
中科院
半導(dǎo)體研究所
副所長
張韻
亞毫米波段
GaN基
HEMT
評(píng)論 ?
2021-11-22 15:53
【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗:面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN
HEMT
增強(qiáng)型器件技術(shù)
評(píng)論 ?
2021-09-18 14:00
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