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【CASICON 2021】南京郵電大學張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡的AlGaN/GaN
HEMT
反向特性表征技術
評論 ?
2021-09-16 14:54
【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學張宇昊:SiC MOSFET和GaN
HEMT
在過壓開關中的魯棒性
評論 ?
2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】西交利物浦大學劉雯：硅基GaN MIS-
HEMT
單片集成技術
評論 ?
2021-09-16 11:29
【CASICON 2021】中國電科首席科學家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN
HEMT
微波功率器件
評論 ?
2021-09-14 09:51
CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應用的GaN
HEMT
增強型器件技術
評論 ?
2021-09-10 10:21
快充僅是第三代半導體應用“磨刀石”，落地這一領域可每年省電40億度
英飛凌
第三代半導體
器件
MOSFET
SiC
MOSFET
SiC模塊
GaN
HEMT
IGBT
評論 ?
2021-08-11 15:39
中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強型
HEMT
電力電子器件
評論 ?
2020-12-16 18:13
中興通訊蔡小龍：針對5G基站中射頻氮化鎵
HEMT
的失效分析研究
評論 ?
2020-12-11 16:17
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