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納微推出TOLL封裝版第三代快速碳化硅MOSFETs，專為AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車等大功率場景打造

英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達 4 千瓦的工業(yè)電機驅(qū)動器

英飛凌最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠在馬來西亞啟用

立芯光電推出1470nm高功率半導(dǎo)體激光二極管芯片

惠科深圳計劃投建6英寸新能源功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)議

中晶科技:已在國內(nèi)分立器件用單晶硅棒、研磨硅片以及半導(dǎo)體功率芯片及器件領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先的市場地位

華潤微：重慶12吋產(chǎn)線聚焦功率器件預(yù)計下半年可實現(xiàn)滿產(chǎn)

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

華光光電申請一種大功率半導(dǎo)體激光器晶圓P面圖形化電鍍金的方法專利

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

芯聚能“功率模塊外殼”專利獲授權(quán)

全球最高功率密度！納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布

全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場2034年將增至110.8億美元

清華大學(xué)功率半導(dǎo)體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制項目簽約湖南企業(yè)

高可靠性高功率半導(dǎo)體器件IDM項目在宜興簽約總投資約30億元

總投資約30億！宜興又簽約一項功率半導(dǎo)體器件項目

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

CASAS SiC功率器件與模塊工作組第二次會議成功召開

力量鉆石半導(dǎo)體高功率金剛石散熱材料項目簽約儀式在睢陽高新區(qū)成功舉行

7.8億元，江蘇容泰功率半導(dǎo)體項目竣工投產(chǎn)

桑德斯微電子(SMC)大功率半導(dǎo)體晶圓項目通線，年產(chǎn)約150萬片

清純半導(dǎo)體“半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”專利公布

復(fù)旦大學(xué)IGBT功率循環(huán)測試儀器（第二次）國際招標公告

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

芯聚能 “功率模塊的封裝方法、裝置和功率模塊”專利獲授權(quán)

北京將提升智慧能源供應(yīng)保障能力推進大功率充電設(shè)施建設(shè)

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