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簽約、落地、投產(chǎn)…一批半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目獲
最新
進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-06-13 16:20
超結(jié) IGBT
最新
研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-06-10 14:28
? Wolfspeed：采用碳化硅技術(shù)，滿足
最新
能效標(biāo)準(zhǔn)
評(píng)論 ?
2022-05-23 13:22
今日速覽 | 中微公司/天岳先進(jìn)/聞泰科技/晶盛機(jī)電/羅姆/微芯長(zhǎng)江/SK/晶升裝備/清芯半導(dǎo)體
最新
動(dòng)態(tài)
評(píng)論 ?
2022-04-28 18:47
存儲(chǔ)器超預(yù)期、晶圓代工創(chuàng)新高，這家巨頭
最新
財(cái)報(bào)出爐
評(píng)論 ?
2022-04-28 15:45
捷捷微電三大項(xiàng)目
最新
進(jìn)展曝光 并表示疫情對(duì)公司原料和運(yùn)輸造成影響
評(píng)論 ?
2022-04-26 11:08
金剛石MOSFET器件
最新
成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件
評(píng)論 ?
2022-04-25 10:43
最新
報(bào)告：全球半導(dǎo)體芯片短缺情況或在2022 年下半年得到緩解
評(píng)論 ?
2022-04-21 10:45
北京君正披露收購北京矽成后
最新
整合情況，25nm LPDDR4將于今年推出樣品
評(píng)論 ?
2022-04-15 09:47
最強(qiáng)大腦、碳基
最新
技術(shù)成果、供需對(duì)接、人才驅(qū)動(dòng)，多角度探討……第二屆碳基半導(dǎo)體材料與器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇
評(píng)論 ?
2022-04-07 16:24
東芝推出采用
最新
一代工藝150V N溝道功率MOSFET大幅提高電源效率
評(píng)論 ?
2022-03-31 15:08
均勻度提升32% Micro-LED背光模組
最新
技術(shù)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-03-28 11:10
順絡(luò)電子
最新
動(dòng)態(tài)：公司射頻類電感等產(chǎn)品可應(yīng)用第三代半導(dǎo)體相關(guān)的電源線路及射頻模塊中
評(píng)論 ?
2022-03-23 13:52
宏微科技：IGBT等功率器件芯片主流制程普遍在350nm以上，
最新
的制程需求是150nm
評(píng)論 ?
2022-03-16 11:14
中環(huán)股份披露：硅棒全部為自有產(chǎn)能生產(chǎn)，半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)、功率半導(dǎo)體芯片等項(xiàng)目
最新
進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-03-16 09:56
Ouster發(fā)布
最新
Chronos車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)芯片，計(jì)劃今年底流片
評(píng)論 ?
2022-03-11 15:14
最新
透露 | 天岳先進(jìn)：公司具備設(shè)計(jì)不同尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)爐能力
評(píng)論 ?
2022-03-08 15:50
教育部
最新
本科專業(yè)備案審批結(jié)果：新增超36個(gè)集成電路、微電子專業(yè)點(diǎn)
評(píng)論 ?
2022-02-28 11:03
西電周弘教授：超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件
最新
研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-22 13:35
停工、投產(chǎn)、量產(chǎn)、出貨......華瑞微、羅姆半導(dǎo)體、住友礦山、長(zhǎng)電科技、鴻海集團(tuán)、環(huán)旭電子
最新
動(dòng)態(tài)
評(píng)論 ?
2022-01-14 13:46
露笑科技
最新
調(diào)研情況：公司6英寸碳化硅襯底晶片已形成銷售
評(píng)論 ?
2022-01-10 10:04
高通發(fā)布
最新
自動(dòng)駕駛視覺系統(tǒng) 官宣與多家車企芯片供應(yīng)合作
高通
自動(dòng)駕駛
視覺系統(tǒng)
沃爾沃集團(tuán)
本田汽車
雷諾
芯片供應(yīng)協(xié)議
評(píng)論 ?
2022-01-05 14:52
奧趨光電王琦琨博士：PVT法生長(zhǎng)高質(zhì)量大尺寸AlN單晶的
最新
進(jìn)展與挑戰(zhàn)
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:42
最新
關(guān)注 氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:09
西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)
最新
成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs
評(píng)論 ?
2021-12-22 16:28
南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院汪青：GaN器件及其系統(tǒng)的
最新
研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:41
最新
進(jìn)展分享 氮化鎵功率電子器件論壇成功舉行
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:24
IFWS& SSLCHINA 2021：超寬禁帶半導(dǎo)體材料
最新
進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-12-10 16:34
應(yīng)用潛力不斷釋放 固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)
最新
進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-12-10 15:09
復(fù)旦大學(xué)特聘教授張清純：SiC器件和模塊的
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進(jìn)展
復(fù)旦大學(xué)
教授
上海
碳化硅
功率器件
張清純
SiC器件
模塊
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2021-12-10 10:39
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