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CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用

CSPSD 2024成都前瞻 |西交利物浦大學(xué)劉雯：用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學(xué)院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

年產(chǎn)3000萬片氮化硅基板等產(chǎn)品項(xiàng)目簽約浙江嘉興總投資約52億元

大連理工大學(xué)“氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應(yīng)用”專利公布

北京大學(xué)申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

中國科學(xué)院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

中科大孫海定教授Adv. Mater.: 構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用

北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

東微半導(dǎo)申請(qǐng)氮化鎵器件及其制造方法專利，提供一種氮化鎵器件

中瓷電子：博威公司致力于為全球通信設(shè)備供應(yīng)商提供氮化鎵通信射頻集成電路產(chǎn)品和服務(wù)

氮化鎵的新變局垂直整合成為重要目標(biāo)

誰將成為功率氮化鎵領(lǐng)域的參賽者和下一個(gè)收購目標(biāo)？

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

電子科技大學(xué)氮化物寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長系統(tǒng)配件與制備耗材采購項(xiàng)目競爭性磋商采購公告

北大團(tuán)隊(duì)研發(fā)超低動(dòng)態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

山東發(fā)布新政，加快實(shí)施集成電路“強(qiáng)芯”等十大工程

第四代半導(dǎo)體迎來新進(jìn)展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

重大突破！第三代半導(dǎo)體在寧加速布局

簡述氮化鎵(GaN)的應(yīng)用市場

中國科學(xué)院長春光機(jī)所黎大兵研究團(tuán)隊(duì)喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

英特爾發(fā)力氮化鎵

中國科學(xué)院在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進(jìn)展

中科重儀自研功率型硅基氮化鎵生產(chǎn)線投產(chǎn)

IFWS 2023│氮矽科技朱仁強(qiáng)：增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展

IFWS 2023│南京大學(xué)修向前：基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

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