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河南發(fā)布《關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》，2025年集成電路產(chǎn)業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入突破100億元

突破！一次擴(kuò)徑技術(shù)，碳化硅襯底從6英寸直接擴(kuò)到8英寸！

突破8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)關(guān)鍵難題，與國(guó)際差距在2~3年之內(nèi)！

長(zhǎng)電科技：實(shí)現(xiàn)4nm芯片封裝先進(jìn)封裝技術(shù)方面再度實(shí)現(xiàn)突破

大功率芯片研制獲突破

至芯半導(dǎo)體在日盲深紫外器件方面獲重大突破，單顆芯片發(fā)射功率創(chuàng)紀(jì)錄達(dá)到210mW

科友半導(dǎo)體應(yīng)用電阻長(zhǎng)晶爐突破高速率高品質(zhì)SiC晶體生長(zhǎng)的關(guān)鍵技術(shù)

突破！世界首個(gè)原子級(jí)量子集成電路推出

美國(guó)芯片為何如今求著賣？因?yàn)橹袊?guó)芯片在快速突破

鄭州發(fā)布支持政策 2025年全市新材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破1000億元

業(yè)內(nèi)領(lǐng)先！科友半導(dǎo)體6英寸SiC晶體厚度突破32mm

全面自主研發(fā)和量產(chǎn)！中機(jī)新材在精密研磨拋材料研制方面獲多項(xiàng)技術(shù)突破

中科潞安大功率深紫外芯片產(chǎn)品獲突破性進(jìn)展，光功率輸出在120mW以上

AMB氮化硅覆銅陶瓷基板獲突破，填補(bǔ)我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)空白！

國(guó)產(chǎn)芯片持續(xù)突破，美芯已難有活路，無奈為華為定制芯片

重磅！3.5億個(gè)晶體管，國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域再突破

華潤(rùn)微：在第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得產(chǎn)業(yè)化顯著突破

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

中國(guó)研發(fā)再突破！15億美元的氧化鎵市場(chǎng)如何引發(fā)多國(guó)博弈？

南京大學(xué)、東南大學(xué)在雙層二維半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)核心技術(shù)取得新突破

南京大學(xué)等突破雙層二維半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)核心技術(shù)

上海光機(jī)所疫情期間封閉攻關(guān) 突破多項(xiàng)“卡脖子”技術(shù)

河北工匠楊昆：第三代半導(dǎo)體材料關(guān)鍵技術(shù)突破者

重磅發(fā)布 | 新一代SiC晶體生長(zhǎng)爐，突破行業(yè)核心需求

三安光電2021年?duì)I收首破百億，三安集成業(yè)務(wù)取得重大突破！

勁拓股份2021年?duì)I收9.89億元半導(dǎo)體硅片制造設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破

中國(guó)信通院：2022年一季度新能源汽車行業(yè)運(yùn)行監(jiān)測(cè) 我國(guó)新能源汽車產(chǎn)銷突破百萬輛

能效有望突破1000倍，華中科大科研團(tuán)隊(duì)新型存儲(chǔ)芯片取得重大進(jìn)展

核心部件全部國(guó)產(chǎn)！季華實(shí)驗(yàn)室自主研發(fā)6英寸SiC高溫外延裝備獲突破性進(jìn)展

西電學(xué)子在ISPD國(guó)際集成電路物理設(shè)計(jì)競(jìng)賽首次獲得冠軍實(shí)現(xiàn)了新突破

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