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澳大利亞格里菲斯大學(xué)Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性
缺陷
的量化表征
評論 ?
2020-12-23 15:25
天津工業(yè)大學(xué)于莉媛：GaN基器件電子輻照誘生
缺陷
表征和性能分析
評論 ?
2020-12-03 18:02
臺(tái)積電稱EUV技術(shù)讓5納米芯片不良率反低于7納米
納米
密度
缺陷
不良
工藝
制造工藝
評論 ?
2020-08-27 02:28
仍存“
缺陷
”！英特爾7nm芯片生產(chǎn)時(shí)間推遲半年上市
英特爾
納米
芯片
制程
工藝
延遲
評論 ?
2020-07-24 06:32
KLA推出全新突破性的電子束
缺陷
檢測系統(tǒng)
電子束
缺陷
系統(tǒng)
檢測
器件
技術(shù)
評論 ?
2020-07-21 05:52
ASML首款用于5nm制程的多光束檢測工具問世
光束
工具
吞吐量
缺陷
計(jì)量學(xué)
檢測
評論 ?
2020-06-02 01:26
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