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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術及應用通過技術鑒定
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2023-05-23 17:44
“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專利發(fā)布
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2023-05-22 17:13
廈門大學團隊發(fā)表Mini-LEDs非接觸檢測新技術
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2023-05-17 14:22
廈門大學張洪良團隊在寬禁帶氧化鎵半導體摻雜電子結構研究取得進展
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2023-05-16 15:38
中國科大參與實現(xiàn)“超快調速”自旋量子比特
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2023-05-16 14:05
廈大團隊在Micro-LED全彩顯示技術方面取得突破
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2023-05-16 11:07
成果上新!8英寸導電型碳化硅研制獲得成功
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2023-05-15 18:05
科友6/8英寸碳化硅規(guī)?;a取得重大技術突破
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2023-05-12 17:05
南科大化夢媛團隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理及應用
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2023-05-12 16:49
南京郵電大學氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破
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2023-05-11 09:47
詳解碳化硅晶片的磨拋工藝方案
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2023-04-28 10:25
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應用
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2023-04-27 16:12
國內首次太赫茲軌道角動量的實時無線傳輸通信實驗完成 6G關鍵技術有新突破
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2023-04-19 18:11
中國半導體十大研究進展候選推薦——溶液生長BiI/BiI3范德華異質結構實現(xiàn)高靈敏X-射線探測
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2023-04-19 17:59
簡述激光在碳化硅半導體晶圓制程中的應用
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2023-04-17 16:48
簡述基于可調諧半導體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測研究
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2023-04-14 18:40
上海微系統(tǒng)所等在自參考太赫茲雙光梳方面取得重要進展
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2023-04-14 18:36
北京大學攻克激光雷達抗干擾和高精度并行探測兩個世界性難題
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2023-04-13 17:44
基于金剛石的先進熱管理技術研究進展
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2023-04-13 16:17
山東大學陶緒堂教授團隊提出一種新型氧化物X射線探測材料的設計思路
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2023-04-12 17:06
中國科大制備出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦單晶LED
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2023-04-11 18:03
打破國外壟斷 武漢先進院有機硅材料制備技術取得突破
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2023-04-11 07:55
簡述碳化硅襯底制備的重點與難點
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2023-04-10 14:05
復旦研究團隊實現(xiàn)單芯片紫光Micro-LED超過10Gbps通信速率
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2023-04-07 18:33
簡述MOSFET與IGBT的區(qū)別
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2023-04-04 11:50
簡述功率半導體器件之IGBT技術及市場發(fā)展概況
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2023-04-03 17:04
廈大與黑龍江大學研究人員合作在有機光子器件及其集成領域取得重要進展
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2023-04-03 15:58
第三代半導體SiC芯片關鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
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2023-03-28 18:11
中國科大首次實現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測
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2023-03-28 17:16
西安交大科研人員在垂直結構hBN/BAlN異質結電學特性研究方面取得重要進展
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2023-03-28 16:45
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