亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<output id="myrmu"><option id="myrmu"></option></output>

<button id="myrmu"></button>

<label id="myrmu"><pre id="myrmu"><cite id="myrmu"></cite></pre></label>

推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進展

廈大研究團隊在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

國際首次！科研團隊在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測研究方面取得突破

復(fù)旦大學(xué)研究團隊實現(xiàn)自激活存算一體超快閃存

中國科大在電源管理芯片設(shè)計領(lǐng)域取得新進展

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進展

國內(nèi)首家！廈門大學(xué)實現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長

世界首例！西湖大學(xué)發(fā)現(xiàn)具有本征相干性的光陰極量子材料

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

內(nèi)置深度學(xué)習(xí)算法|OPT（奧普特）智能讀碼器精準識碼

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動低功耗頻率綜合器芯片

東大科研團隊3篇論文入選第70屆“芯片設(shè)計國際奧林匹克會議”（ISSCC）

西安郵電大學(xué)重點實驗室成功制備高耐壓性能半導(dǎo)體材料

簡述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進展

突破！中國科大研究團隊創(chuàng)造性開發(fā)出半導(dǎo)體材料激光直寫方法

臺灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長！

半導(dǎo)體SERS基底非吸附分析物檢測獲進展

半導(dǎo)體所在激子-聲子的量子干涉研究中獲進展

簡述SiC碳化硅單晶的生長原理

從600塊降到10塊，中科院攻克重要芯片技術(shù)難關(guān)

簡述碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動下 PBN（熱解氮化硼）市場需求空間廣闊

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

中科院研發(fā)銅摻雜p型半導(dǎo)體材料，可印制1-20nm厚的二維薄膜材料

南科大電子系化夢媛團隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理及應(yīng)用

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進展

簡述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機理研究進展

«上一頁 1 2 … 9 10 11 12 13 … 32 33 下一頁» 共962條/33頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<blockquote id="dktdh"><option id="dktdh"><em id="dktdh"></em></option></blockquote>

<output id="dktdh"></output>

<output id="dktdh"></output>