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中電科48所鞏小亮：SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)

氮化鎵功率器件領(lǐng)域的新選擇

碳化硅功率器件研發(fā)生產(chǎn)商寬能半導(dǎo)體獲A輪投資

芯邑半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目一期年產(chǎn)10億只集成電路功率器件項(xiàng)目正在設(shè)備調(diào)試

浙江旺榮半導(dǎo)體項(xiàng)目主體工程封頂年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸功率器件

四川遂芯微二期項(xiàng)目投產(chǎn)，生產(chǎn)半導(dǎo)體功率器件

旺榮半導(dǎo)體年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸功率器件項(xiàng)目月底結(jié)頂

CASA發(fā)布《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告

振華科技擬建設(shè)12萬(wàn)片/年6英寸SiC/Si功率器件產(chǎn)線

振華科技：擬建設(shè)一條12萬(wàn)片/年產(chǎn)能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線

MEMS和功率器件代工廠中芯集成IPO申請(qǐng)過(guò)會(huì) 募資125億元

復(fù)旦大學(xué)牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》征求意見(jiàn)

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

基本半導(dǎo)體與羅姆簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議就碳化硅功率器件的創(chuàng)新升級(jí)、性能提升等方面展開(kāi)深度合作

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

復(fù)旦大學(xué)牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》征求意見(jiàn)

干貨| 第三代半導(dǎo)體功率器件及封測(cè)技術(shù)峰會(huì)在深圳成功召開(kāi)

宏光半導(dǎo)體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn)

日程出爐！第三代半導(dǎo)體功率器件及封測(cè)技術(shù)峰會(huì)將于11月6日在深圳召開(kāi)

士蘭微：士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

中車電氣時(shí)代中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目落地株洲

時(shí)代電氣：中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投111.19億元建中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

全國(guó)首個(gè)企業(yè)級(jí)第三代半導(dǎo)體功率器件測(cè)試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)

111億元！中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目

復(fù)旦大學(xué)功率器件分析儀采購(gòu)公開(kāi)招標(biāo)公告

碳化硅功率器件需求急增

國(guó)星光電：公司已建立三代半功率器件試產(chǎn)線，小批量產(chǎn)！

廣西科文招標(biāo)有限公司有壓功率器件互連燒結(jié)系統(tǒng)采購(gòu)（GXZC2022-J1-002840-KWZB）競(jìng)爭(zhēng)性談判公告

第三代半導(dǎo)體功率器件及封測(cè)技術(shù)峰會(huì)將于11月6日在深圳召開(kāi)

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